PSMN8R2-80YS,115

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PSMN8R2-80YS,115中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 130 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 82.0 A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 3640pF @40VVds

额定功率Max 130 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN8R2-80YS,115
型号: PSMN8R2-80YS,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:LFPAK N-CH 80V 82A
替代型号PSMN8R2-80YS,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN8R2-80YS,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

HAT2279H-EL-E

瑞萨电子

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PSMN8R2-80YS,115和HAT2279H-EL-E的区别

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