PSMN2R0-30YL,115

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PSMN2R0-30YL,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.00155 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 97 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 3980pF @12VVds

额定功率Max 97 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 97W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

宽度 4.1 mm

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN2R0-30YL,115
型号: PSMN2R0-30YL,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PSMN Series 30V 2mOhm 97W N-Channel Logic Level Mosfet SMT - SOT-669
替代型号PSMN2R0-30YL,115
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NXP 恩智浦

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