PSMN7R0-30YL,115中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.00492 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 51 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 76.0 A
上升时间 39 ns
输入电容Ciss 1270pF @12VVds
额定功率Max 51 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 51W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN7R0-30YL,115
型号： PSMN7R0-30YL,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：Single N-Channel 30V 12.2mOhm 10NC 51W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4
替代型号PSMN7R0-30YL,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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