NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS,115, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
N 通道 MOSFET，40V 至 55V，Nexperia
得捷:
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R
Newark:
# NXP PSMN8R3-40YS,115 MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 40 V, 6.6 mohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
漏源极电阻 0.0066 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1215pF @20VVds
额定功率Max 74 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN8R3-40YS,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
HAT2171H-EL-E 瑞萨电子 | 功能相似 | PSMN8R3-40YS,115和HAT2171H-EL-E的区别 |