PMV213SN,215中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.213 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.90 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 330pF @20VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PMV213SN,215
型号： PMV213SN,215
制造商：
NXP
恩智浦
描述：N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
替代型号PMV213SN,215
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMV213SN,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMV213SN 恩智浦 | 功能相似 | PMV213SN,215和PMV213SN的区别 |