PMEG2010ER,115

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PMEG2010ER,115中文资料参数规格
技术参数

正向电压 340mV @1A

热阻 18℃/W RθJL

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 50 A

正向电压Max 340 mV

正向电流Max 1000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123

外形尺寸

宽度 1.9 mm

封装 SOD-123

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMEG2010ER,115
型号: PMEG2010ER,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Diode Schottky 20V 1A 2Pin SOD-123W T/R
替代型号PMEG2010ER,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMEG2010ER,115

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