PMEG2010EV,115

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PMEG2010EV,115中文资料参数规格
技术参数

正向电压 500mV @1A

热阻 405℃/W RθJA

正向电压Max 500mV @1A

工作结温 125℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMEG2010EV,115
型号: PMEG2010EV,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Diode Schottky 20V 1A 6Pin SOT-666 T/R
替代型号PMEG2010EV,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMEG2010EV,115

NXP 恩智浦

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