NXP PMBT5550,215 单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE
The is a NPN High Voltage Transistor housed in a surface-mount plastic package.
得捷:
TRANS NPN 140V 0.3A SOT23
艾睿:
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
PMBT5550 系列 140 V 300 mA 表面贴装 NPN 高压 晶体管 - SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# NXP PMBT5550,215 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 20 hFE
频率 300 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 60 @1mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PMBT5550,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBT5550,235 恩智浦 | 类似代替 | PMBT5550,215和PMBT5550,235的区别 |
PMBT5551,235 恩智浦 | 类似代替 | PMBT5550,215和PMBT5551,235的区别 |
MMBT5550LT1G 安森美 | 功能相似 | PMBT5550,215和MMBT5550LT1G的区别 |