PMBT6428,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMBT6428,215概述

TO-236AB NPN 50V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 100mA 700MHz 250mW Surface Mount TO-236AB

得捷:
TRANS NPN 50V 100MA SOT23

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# NXP PMBT6428,215 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 700 MHz, 250 mW, 100 mA, 250 hFE

Win Source:
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23

PMBT6428,215中文资料参数规格

技术参数

频率 700 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMBT6428,215

型号： PMBT6428,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-236AB NPN 50V 0.1A

替代型号PMBT6428,215