PMD2001D,115

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PMD2001D,115概述

通用双 NPN/PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

Transistor MOSFET Driver NPN, PNP Emitter Coupled 40V 600mA Surface Mount 6-TSOP


得捷:
IC MOSFET DRIVER 6TSOP


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A Automotive 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# NXP  PMD2001D,115  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, PNP, 40 V, 540 mW, 600 mA, 210 hFE


Win Source:
IC MOSFET DRIVER 6TSOP


PMD2001D,115中文资料参数规格
技术参数

额定电流 600 mA

极性 NPN, PNP

耗散功率 540 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 210

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 540 mW

额定电压 40 V

电源电压Max 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 MOSFET 驱动器

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMD2001D,115
型号: PMD2001D,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:通用双 NPN/PNP 晶体管,NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PMD2001D,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMD2001D,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PMD2001D

恩智浦

功能相似

PMD2001D,115和PMD2001D的区别

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