PMBF4393,215

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PMBF4393,215概述

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 40V SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


e络盟:
晶体管, 射频FET, 40 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23


艾睿:
Due to the very high input electrical resistance, there will be very little voltage-drop in your circuit if you use the PMBF4393,215 JFET transistor from NXP Semiconductors. Its maximum power dissipation is 250 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans JFET N-CH 40V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBF439X 系列 N-沟道 40 V 5 mA 100 Ω 表面贴装 JFET - SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 40V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PMBF4393,215  RF FET Transistor, 40 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23


RfMW:
PMBF4393/SOT23/REELLP//


Win Source:
JFET N-CH 40V 250MW SOT23


PMBF4393,215中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 40.0 V

针脚数 3

漏源极电阻 100 Ω

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 40 V

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 14pF @20VVds

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMBF4393,215
型号: PMBF4393,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号PMBF4393,215
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PMBF4393,215

NXP 恩智浦

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恩智浦

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