N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
JFET N-CH 40V SOT23
欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
e络盟:
晶体管, 射频FET, 40 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23
艾睿:
Due to the very high input electrical resistance, there will be very little voltage-drop in your circuit if you use the PMBF4393,215 JFET transistor from NXP Semiconductors. Its maximum power dissipation is 250 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.
安富利:
Trans JFET N-CH 40V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
PMBF439X 系列 N-沟道 40 V 5 mA 100 Ω 表面贴装 JFET - SOT-23
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 40V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP PMBF4393,215 RF FET Transistor, 40 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23
RfMW:
PMBF4393/SOT23/REELLP//
Win Source:
JFET N-CH 40V 250MW SOT23
击穿电压 40.0 V
针脚数 3
漏源极电阻 100 Ω
耗散功率 250 mW
漏源极电压Vds 40 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 14pF @20VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PMBF4393,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBFJ113,215 恩智浦 | 类似代替 | PMBF4393,215和PMBFJ113,215的区别 |
BSR58 飞兆/仙童 | 功能相似 | PMBF4393,215和BSR58的区别 |
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