PMD3001D,115

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PMD3001D,115中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1 A

极性 NPN, PNP

耗散功率 580 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 580 mW

额定电压 40 V

电源电压Max 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 MOSFET 驱动器

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PMD3001D,115
型号: PMD3001D,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMD3001 系列 40 V 1 A NPN/PNP 晶体管对 推挽 Mosfet 驱动器 - SOT-457
替代型号PMD3001D,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMD3001D,115

NXP 恩智浦

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PMD3001D

安世

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