PHK5NQ15T,518中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电容Ciss 1150pF @25VVds
额定功率Max 6.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6.25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PHK5NQ15T,518
型号： PHK5NQ15T,518
制造商：
NXP
恩智浦
描述：N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
替代型号PHK5NQ15T,518
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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