PDTD113ET,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTD113ET,215中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTD113ET,215

型号： PDTD113ET,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PDTD113ET,215 晶体管, BRT, NPN, 50V, 500MA, 1KΩ

替代型号PDTD113ET,215

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PDTD113ET,215 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PDTD113ZT,215 恩智浦	类似代替	PDTD113ET,215和PDTD113ZT,215的区别

型号/品牌

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PDTD113ET,215

NXP 恩智浦

当前型号

PDTD113ZT,215

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类似代替