PESD3V3L5UY,115中文资料参数规格
技术参数
电容 28 pF
耗散功率 25 W
钳位电压 12 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 5.9 V
脉冲峰值功率 25 W
最小反向击穿电压 5.3 V
击穿电压 5.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PESD3V3L5UY,115
替代型号PESD3V3L5UY,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PESD3V3L5UY,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
ESDA6V1-5W6 意法半导体 | 功能相似 | PESD3V3L5UY,115和ESDA6V1-5W6的区别 |
SP0505BAJTG 力特 | 功能相似 | PESD3V3L5UY,115和SP0505BAJTG的区别 |