PUMH16,115

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PUMH16,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PUMH16,115
型号: PUMH16,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PUMH16 系列 50 V 100 mA NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-363
替代型号PUMH16,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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