PESD24VL2BT,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PESD24VL2BT,215中文资料参数规格

技术参数

电容 11 pF

耗散功率 200 W

钳位电压 70 V

测试电流 5 mA

脉冲峰值功率 200 W

最小反向击穿电压 25.4 V

击穿电压 25.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PESD24VL2BT,215

型号： PESD24VL2BT,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：PESDxxxL2 Series, Low Capacitance Double Bidirectional ESD Protection Diodes Low Capacitance Bidirectional Double ElectroStatic Discharge ESD protection diodes in a very small Surface-Mounted Device SMD plastic package designed to protect up to two signal lines from the damage caused by ESD and other transients. ### 瞬态电压抑制器，NXP

立即咨询

替代型号PESD24VL2BT,215

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PESD24VL2BT,215 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PESD1CANVL 恩智浦	完全替代	PESD24VL2BT,215和PESD1CANVL的区别
PESD1CAN,215 恩智浦	类似代替	PESD24VL2BT,215和PESD1CAN,215的区别
PESD1FLEX,215 恩智浦	类似代替	PESD24VL2BT,215和PESD1FLEX,215的区别