PESD15VS1UB,115中文资料参数规格
技术参数
工作电压 15 V
电容 70 pF
击穿电压 18 V
耗散功率 160 W
钳位电压 40 V
测试电流 5 mA
脉冲峰值功率 160 W
最小反向击穿电压 17.6 V
击穿电压 17.6 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
长度 1.25 mm
宽度 0.85 mm
高度 0.65 mm
封装 SOD-523
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PESD15VS1UB,115
型号： PESD15VS1UB,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：PESDxxxS1 系列、单向 ESD 保护，用于瞬态电压抑制 单向静电放电 ESD 保护二极管，设计用于保护一条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。 ### 瞬态电压抑制器，NXP
替代型号PESD15VS1UB,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PESD15VS1UB,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
ESDA18-1K 意法半导体 | 功能相似 | PESD15VS1UB,115和ESDA18-1K的区别 |
UCLAMP3301H.TCT Semtech Corporation | 功能相似 | PESD15VS1UB,115和UCLAMP3301H.TCT的区别 |