PDTB123ET,215

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PDTB123ET,215中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PDTB123ET,215
型号: PDTB123ET,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB PNP 50V 500mA
替代型号PDTB123ET,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTB123ET,215

NXP 恩智浦

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PDTB123ET,215和PDTB123YT,215的区别

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