PBSS4130PANP,115概述
DFN NPN+PNP 30V 1A
Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP 30V 1A 165MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP 2x2
得捷:
NOW NEXPERIA PBSS4130PANP - SMAL
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A Automotive 6-Pin DFN EP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 6-Pin DFN T/R
Newark:
# NXP PBSS4130PANP,115 Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 30 V, 1450 mW, 1 A, 180 hFE, SOT-1118
PBSS4130PANP,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN, PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 210 @500mA, 2V
额定功率Max 510 mW
直流电流增益hFE 180
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 uDFN-6
外形尺寸
封装 uDFN-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
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