频率 100 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 550 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 250 @2A, 2V
额定功率Max 1.6 W
直流电流增益hFE 430
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
封装 SOT-89-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS5520X,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1386T100R 罗姆半导体 | 功能相似 | PBSS5520X,135和2SB1386T100R的区别 |
2SB1386T100Q 罗姆半导体 | 功能相似 | PBSS5520X,135和2SB1386T100Q的区别 |
PBSS5520X 恩智浦 | 功能相似 | PBSS5520X,135和PBSS5520X的区别 |