NXP PBSS8110X,135 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN 100V 1A 100MHz 2W Surface Mount SOT-89
得捷:
TRANS NPN 100V 1A LOW SAT SOT89
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
富昌:
PBSS8110X Series 100 V 1 A SMT NPN Low VCEsat BISS Transistor - SOT-89
Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Newark:
# NXP PBSS8110X,135 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 100 MHz, 550 mW, 1 A, 80 hFE
Win Source:
TRANS NPN 100V 1A SOT89
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 150 @250mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 150 @1mA, 10V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
宽度 2.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS8110X,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS8110D 恩智浦 | 类似代替 | PBSS8110X,135和PBSS8110D的区别 |
PBSS8110S 恩智浦 | 类似代替 | PBSS8110X,135和PBSS8110S的区别 |
BZX84-C13,215 恩智浦 | 功能相似 | PBSS8110X,135和BZX84-C13,215的区别 |