PBSS4580PA,115

PBSS4580PA,115图片1
PBSS4580PA,115图片2
PBSS4580PA,115图片3
PBSS4580PA,115图片4
PBSS4580PA,115图片5
PBSS4580PA,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 5.6A

最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V

额定功率Max 2.1 W

直流电流增益hFE 425

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UDFN-3

外形尺寸

封装 UDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS4580PA,115
型号: PBSS4580PA,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS4580PA 系列 80 V 5.6 A NPN 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT1061

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台