NXP PDTC143ZU,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-323
The is a NPN Resistor Equipped Transistor RET housed in very small surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with control of IC inputs, cost-saving alternative for BC847/857 series in digital applications and switching load applications.
- .
- 100mA Output current capability
- .
- Reduces component count
- .
- AEC-Q101 Qualified
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC143ZU,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2233LT1G 安森美 | 功能相似 | PDTC143ZU,115和MMUN2233LT1G的区别 |
MUN5233T1G 安森美 | 功能相似 | PDTC143ZU,115和MUN5233T1G的区别 |