PBSS5112PAP,115概述
DFN PNP 120V 1A
Bipolar BJT Transistor
得捷:
NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 1A Automotive 6-Pin DFN EP T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 120V 1A 6-Pin DFN T/R
Newark:
# NXP PBSS5112PAP,115 Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -120 V, 2 W, -1 A, 15 hFE, SOT-1118
PBSS5112PAP,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 305
额定功率Max 510 mW
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 uDFN-6
外形尺寸
封装 uDFN-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
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