PBSS5130T,215中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 260 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 450
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
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替代型号PBSS5130T,215
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS5130T,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |