NXP PBHV8540T,215 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE
The is a 0.5A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- AEC-Q101 qualified
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- PNP complement is PBHV9040T
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- W4 Marking code
频率 30 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10 @300mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Lighting, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBHV8540T,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBHV8540T 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8540T,215和PBHV8540T的区别 |
BZX79-C6V2 恩智浦 | 功能相似 | PBHV8540T,215和BZX79-C6V2的区别 |