TO-236AB NPN 30V 2A
Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 2 A 230MHz 480 mW Surface Mount TO-236AB
得捷:
NEXPERIA PBSS4230T - SMALL SIGNA
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP PBSS4230T,215 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
Win Source:
TRANS NPN 30V 2A SOT23
频率 230 MHz
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 350 @100mA, 2V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 470
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 480 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS4230T,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD2671TL 罗姆半导体 | 功能相似 | PBSS4230T,215和2SD2671TL的区别 |
2SC5916TLQ 罗姆半导体 | 功能相似 | PBSS4230T,215和2SC5916TLQ的区别 |