PUMH17 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-363
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R
富昌:
PUMH17 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-363
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Newark:
# NXP PUMH17,115 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 Ratio
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
PUMH17,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5212DW1T1G 安森美 | 功能相似 | PUMH17,115和MUN5212DW1T1G的区别 |
PUMH10,115 安世 | 功能相似 | PUMH17,115和PUMH10,115的区别 |