极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 20mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC115ET,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EKAT146 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC115ET,215和DTC114EKAT146的区别 |
DTC143EKAT146 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC115ET,215和DTC143EKAT146的区别 |
DTC124EKAT146 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC115ET,215和DTC124EKAT146的区别 |