PBSS8110Y,115

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PBSS8110Y,115概述

PBSS8110Y - 100 V、1 A NPN低VCEsat BISS晶体管

Bipolar BJT Transistor NPN 100 V 1 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSSOP


得捷:
NEXPERIA PBSS8110Y - SMALL SIGNA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 6-Pin TSSOP T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 6-Pin TSSOP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# NXP  PBSS8110Y,115  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 100 MHz, 290 mW, 1 A, 150 hFE


Win Source:
TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP


DeviceMart:
TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP


PBSS8110Y,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 290 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 150 @250mA, 10V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PBSS8110Y,115
型号: PBSS8110Y,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS8110Y - 100 V、1 A NPN低VCEsat BISS晶体管
替代型号PBSS8110Y,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS8110Y,115

NXP 恩智浦

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PBSS8110Y

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PBSS8110Y,115和PBSS8110Y的区别

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