PBSS5330X,115

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PBSS5330X,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 550 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 175 @1A, 2V

额定功率Max 1.6 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PBSS5330X,115
型号: PBSS5330X,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS5330X 系列 30 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-89-3
替代型号PBSS5330X,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5330X,115

NXP 恩智浦

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PBSS5330X,135

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