PEMZ1,115

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PEMZ1,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN, PNP

耗散功率 200 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PEMZ1,115
型号: PEMZ1,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-666 NPN+PNP 40V 0.1A
替代型号PEMZ1,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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