PESD5V0L1BA,115

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PESD5V0L1BA,115中文资料参数规格
技术参数

电容 75 pF

电路数 1

耗散功率 500 W

钳位电压 33 V

测试电流 5 mA

最大反向击穿电压 8.2 V

脉冲峰值功率 500 W

最小反向击穿电压 7 V

击穿电压 7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PESD5V0L1BA,115
型号: PESD5V0L1BA,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:低电容双向保护二极管
替代型号PESD5V0L1BA,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PESD5V0L1BA,115

NXP 恩智浦

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PESD5V0L1BA,135

恩智浦

完全替代

PESD5V0L1BA,115和PESD5V0L1BA,135的区别

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