PHD13003C,126参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHD13003C,126概述

Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3Pin SPT Ammo

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1.5A 2.1W Through Hole TO-92-3

得捷:
NOW WEEN - PHD13003C - POWER BIP

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin SPT Ammo

Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin SPT Ammo

Newark:
# NXP PHD13003C,126 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 400 V, 2.1 W, 1.5 A, 25 hFE

PHD13003C,126中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 5 @1A, 2V

额定功率Max 2.1 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PHD13003C,126

型号： PHD13003C,126

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3Pin SPT Ammo