PHB66NQ03LT参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PHB66NQ03LT图片1

PHB66NQ03LT中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 66A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PHB66NQ03LT

型号： PHB66NQ03LT

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

替代型号PHB66NQ03LT

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PHB66NQ03LT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PHB66NQ03LT,118

恩智浦

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