PESD3V3L4UW,115中文资料参数规格
技术参数
电容 28 pF
钳位电压 12 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 30 W
最小反向击穿电压 5.32 V
击穿电压 5.32 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-665
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-665
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PESD3V3L4UW,115
型号： PESD3V3L4UW,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP ### 瞬态电压抑制器，NXP
替代型号PESD3V3L4UW,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PESD3V3L4UW,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
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