PMXB350UPEZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMXB350UPEZ概述

DFN-D P-CH 20V 1.2A

P-Channel 20 V 1.2A Ta 360mW Ta, 5.68W Tc Surface Mount DFN1010D-3

得捷:
NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-D EP

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN

PMXB350UPEZ中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 360mW Ta, 5.68W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.2A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 116pF @10VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 6 ns

耗散功率Max 360mW Ta, 5.68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买PMXB350UPEZ

型号： PMXB350UPEZ

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN-D P-CH 20V 1.2A