NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS,127, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia
得捷:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
极性 N-Channel
耗散功率 306 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 38.1 ns
输入电容Ciss 8400pF @40VVds
额定功率Max 306 W
下降时间 18.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 306W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN4R4-80PS,127 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
HUF75545P3 飞兆/仙童 | 功能相似 | PSMN4R4-80PS,127和HUF75545P3的区别 |
HUF75542P3 飞兆/仙童 | 功能相似 | PSMN4R4-80PS,127和HUF75542P3的区别 |