PMPB19XP,115

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PMPB19XP,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.7W Ta, 12.5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 2890pF @10VVds

额定功率Max 1.7 W

下降时间 36 ns

耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMPB19XP,115
型号: PMPB19XP,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 10.3A 6Pin DFN T/R

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