PHB20N06T,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHB20N06T,118概述

D2PAK N-CH 55V 20.3A

N-Channel 55 V 20.3A Tc 62W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 20.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 20.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK

PHB20N06T,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 62000 mW

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 20.3A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 483pF @25VVds

额定功率Max 62 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB20N06T,118

型号： PHB20N06T,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：D2PAK N-CH 55V 20.3A

替代型号PHB20N06T,118