PSMN2R8-80BS,118

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PSMN2R8-80BS,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 306 W

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 9961pF @40VVds

额定功率Max 306 W

下降时间 44 ns

耗散功率Max 306W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN2R8-80BS,118
型号: PSMN2R8-80BS,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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