PSMN009-100B,118参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PSMN009-100B,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 75A

输入电容Ciss 8250pF @25VVds

额定功率Max 230 W

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN009-100B,118

型号： PSMN009-100B,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：D2PAK N-CH 100V 75A

替代型号PSMN009-100B,118

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PSMN009-100B,118 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
STB120NF10T4 意法半导体	功能相似	PSMN009-100B,118和STB120NF10T4的区别
FQB55N10TM 飞兆/仙童	功能相似	PSMN009-100B,118和FQB55N10TM的区别
IRFS4410TRLPBF 英飞凌	功能相似	PSMN009-100B,118和IRFS4410TRLPBF的区别