PMN50UPE,115

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PMN50UPE,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 510mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 24pF @10VVds

额定功率Max 510 mW

耗散功率Max 510mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMN50UPE,115
型号: PMN50UPE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6Pin TSOP T/R

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