PSMN6R1-30YLDX

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PSMN6R1-30YLDX中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 47W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 817pF @15VVds

下降时间 7.2 ns

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PSMN6R1-30YLDX
型号: PSMN6R1-30YLDX
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 66A 4Pin LFPAK-56 T/R

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