



N-Channel 30V 350mW 470mOhm 1.3NC SMT Trench Mosfet - DFN1006-3
* Trench MOSFET technology * Low threshold voltage * Very fast switching * ElectroStatic Discharge ESD protection: 2 kV HBM * Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 × 0.6 × 0.48 mm
得捷:
MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
富昌:
N沟道 30 V 350 mW 470 mΩ 1.3 nC 表面贴装 Trench Mosfet - DFN1006-3
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
耗散功率 715 mW
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 41pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta, 5.43W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
高度 0.47 mm
封装 SOT-883
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free