PSMN059-150Y,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 113 W
漏源极电压Vds 150 V
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 1529pF @30VVds
额定功率Max 113 W
下降时间 11.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 113W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PSMN059-150Y,115
型号： PSMN059-150Y,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：Single N-Channel 150V 59mOhm 27.9NC 113W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56
替代型号PSMN059-150Y,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PSMN059-150Y,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN059-150Y 恩智浦 | 完全替代 | PSMN059-150Y,115和PSMN059-150Y的区别 |
5915 恩智浦 | 功能相似 | PSMN059-150Y,115和5915的区别 |