PMPB11EN,115

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PMPB11EN,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3500 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 840pF @10VVds

额定功率Max 1.7 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

高度 0.61 mm

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PMPB11EN,115
型号: PMPB11EN,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6Pin DFN-MD EP T/R

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