PSMN102-200Y,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 113000 mW
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 21.5A
上升时间 29.5 ns
输入电容Ciss 1568pF @30VVds
额定功率Max 113 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 113W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669-4
外形尺寸
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号PSMN102-200Y,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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