极性 N-CH
耗散功率 103 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1573pF @40VVds
额定功率Max 103 W
下降时间 8 ns
耗散功率Max 103W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
PSMN017-80BS,118
NXP 恩智浦
当前型号
STB75NF75T4
意法半导体
功能相似